ФИАН
Научная деятельность
|
Дополнительная информация
Родился в 1966 г. Закончил кафедру квантовой радиофизики Московского физико-технического института в 1989 г. С 1989 г. - аспирант, а затем сотрудник лаборатории физики неоднородных систем отделения физики твердого тела ФИАН. Область научных интересов - оптические и нелинейнооптические явления в полупроводниках, изучение электронных свойств полупроводников и полупроводниковых систем пониженной размерности методами оптической спектроскопии.
Основное направление деятельности - исследование поведения системы неравновесных носителей заряда в гетероструктурах с квантовыми ямами при низких температурах. В частности, работы посвящены следующим темам:
- влияние сильного магнитного поля на электронные состояния в системах связанных квантовых ям и сверхрешетках, стабилизация связанных состояний в системе фотовозбужденных неравновесных носителей заряда в сильном магнитном поле, подавление туннелирования носителей заряда магнитным полем;
- экситонные состояния и формирование заряженных экситонных комплексов (трионов) в структурах с мелкими квантовыми ямами в гетероструктурах с мелкими квантовыми ямами
и др.
Основные публикации
О.П.Варнавский, А.Г.Витухновский, Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков
Пикосекундная кинетика люминесценции квантово-размерных систем: полупроводниковых сверхрешеток и молекулярных агрегатов.
Тезисы докладов Российской конференции "Микроэлектроника -94", Москва, 1994, ч.2, с. 435-436.
М.Л.Скориков, И.И.Засавицкий, И.П.Казаков, Ю.Г.Садофьев, Н.Н.Сибельдин, В.А.Цветков, В.И.Цехош
Магнитная локализация носителей заряда в квантовых ямах полупроводниковой асимметричной двухъямной структуры.
Письма в ЖЭТФ, т.62, в.6, с. 500-505 (1995).
Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков
Экситонные спектры полупроводниковых сверхрешеток в параллельном магнитном поле.
ФТТ, т. 40, вып. 5, с. 830-832 (1998).
Е.А.Муляров, Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков, Б.Этьен
Экситонные состояния в квантовых ямах, сформированные из "надбарьерных" электронных состояний
Письма в ЖЭТФ, т.70, в.9, с. 613-619 (1999)
Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков
Кинетика образования экситонных комплексов в квантовых ямах нелегированных GaAs/AlGaAs структур
Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10-14 сентября 2001 г.), с. 131
N.N.Sibeldin, M.L.Skorikov, V.A.Tsvetkov
Formation of charged excitonic complexes in shallow quantum wells of undoped GaAs/AlGaAs structures under below-barrier and above-barrier photoexcitation.
Nanotechnology, vol.12, no. 4, pp. 591-596 (December 2001)
Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков
Модуляция спектров резонансного рэлеевского рассеяния света GaAs/AlGaAs структур с квантовыми ямами при надбарьерной подсветке.
Письма в ЖЭТФ, т.76, вып.10, с. 732-737 (2002).
Born 1966. Graduated from the Moscow Institute of Physics and Technology (Chair of Quantum Radiophysics) in 1989. The same year joined the Laboratory of the Physics of Inhomogeneous Systems at the Solid-State Physics Division of the Lebedev Physical Institute. Specializes in studying optical and nonlinear-optical phenomena in semiconductors, in particular, investigating electronic properties of semiconductors and low-dimensional semiconductor systems by optical spectroscopy techniques.
Performs research on the behavior of the system of nonequilibrium charge carriers and the exciton-related effects in quantum-well heterostructures at low temperatures. The main directions of activity are
- effect of the magnetic field on electronic states in systems of quantum wells and superlattices, in particular, stabilization of the bound states in the system of photoexcited charge carriers in semiconductors by a magnetic field and suppression of tunneling between the quantum wells by a magnetic field;
- excitonic states and formation of charged excitons in shallow quantum wells;
etc.
MAIN PUBLICATIONS
M.L. Skorikov, I.I. Zasavitskii, I.P. Kazakov, Yu.G. Sadof'ev, N.N. Sibeldin, V.A. Tsvetkov, and V.I. Tsehosh
Magnetic localization of the charge carriers in the quantum wells of an asymmetric double-well semiconductor heterostructure.
Pis'ma v Zh. Eksp. Teor. Fiz., vol. 62, no. 6, pp. 500-505 (1995) /JETP Lett., vol. 62, no. 6, pp. 522-527/
N.N. Sibeldin, M.L. Skorikov, and V.A. Tsvetkov
Exciton spectra of semiconductor superlattices in a parallel magnetic field
Fiz. Tverd. Tela, vol. 40, no. 5, pp. 830-832 (1998) /Phys. Solid State, vol. 40, no. 5, pp. 764-766/
E.A. Muljarov, N.N. Sibeldin, M.L. Skorikov, V.A. Tsvetkov, and B. Etienne
Excitonic states in quantum wells formed from "above-barrier" electron states
Pis'ma v Zh. Eksp. Teor. Fiz., vol. 70, no. 9, pp. 613-619 (1999) /JETP Lett., vol. 70, no. 9, pp. 621-627/
N.N.Sibeldin, M.L.Skorikov, V.A.Tsvetkov
Formation of charged excitonic complexes in shallow quantum wells of undoped GaAs/AlGaAs structures under below-barrier and above-barrier photoexcitation.
Nanotechnology, vol.12, no. 4, pp. 591-596 (December 2001)
N.N.Sibeldin, M.L.Skorikov, V.A.Tsvetkov
Modulation of the spectra of resonance Rayleigh scattering of light in GaAs/AlGaAs quantum-well structures under additional above-barrier illumination
Pis'ma v Zh. Eksp. Teor. Fiz., vol. 76, no. 10, pp. 732-737 (2002) /JETP Lett., vol. 76, no. 10, pp. 628-632
Публикации
2015
- М. Л. Скориков, Т. Н. Заварицкая, И. В. Кучеренко, Н. Н. Мельник, G. Karczewski
Влияние ширины барьера ZnTe на спектры фотолюминесценции сверхрешеток CdTe/ZnTe со слоями квантовых точек ФТТ, т. 57, стр. 598, (2015)
аннотация
Измерены спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в сверхрешетках CdTe/ZnTe со слоями квантовых точек CdTe в интервале температур 5-85 K. Обнаружены три полосы излучения, которые мы связываем с люминесценцией двумерных смачивающих слоев, прямых и пространственно непрямых экситонов в квантовых точках. Изучено влияние ширины барьерного слоя ZnTe в интервале 2-50 ML на энергию и ширину линий излучения квантовых точек и смачивающего слоя. Измерены температурные зависимости интенсивности фотолюминесценции прямого и непрямого экситонов и определены соответствующие энергии активации температурного тушения люминесценции. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 140 200 436).
journals.ioffe.ru/ftt/2015/03/page-598.html.ru
- Багаев В. С., Давлетов Э. Т., Кривобок В. С., Николаев С. Н., Новиков А. В., Онищенко Е. Е., Пручкина А. А., Скориков М. Л.
Многочастичные состояния и факторы, осложняющие экспериментальное наблюдение квантовой когерентности, в экситонном газе SiGe/Si квантовых ям ЖЭТФ, т. 148, N5, (2015)
2013
- Т. Н. Заварицкая, И. В. Кучеренко, Н. Н. Мельник, G. Karczewski, М. Л. Скориков
Фотолюминесценция и экситонные резонансы по рассеянному свету в многофононных спектрах резонансного рассеяния в сверхрешетках CdTe/ZnTe с узкими квантовыми ямами ФТТ, т. 55, N11, стр. 2237, (2013)
аннотация
Измерены спектры фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в гетероструктурах и сверхрешетках CdTe/ZnTe с узкими квантовыми ямами (4.8-9.2 Angstrem) в интервале температур 5-300 K. Исследованы температурные зависимости интенсивности люминесценции экситонов в изолированных квантовых ямах и определены энергии термической активации, которые связаны с эффективными барьерами для электронов и дырок. В гетероструктурах CdTe/ZnTe определены энергии связи экситона с тяжелой дыркой в зависимости от ширины квантовой ямы. Исследованы многофононные спектры комбинационного рассеяния света, отличительными особенностями которых являются слабая интенсивность nLO фононных линий ZnTe (n < 8), отсутствие зависимости их интенсивности от номера n (n > 2) и многократное участие в рассеянии акустических LA-фононов с большим волновым вектором. Результаты объясняются на основе представлений о релаксации горячих экситонов по экситонной зоне.
Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 10-02-00809a) и программы Президиума РАН \\\" Квантовая физика конденсированных сред. 10.4\\\".
journals.ioffe.ru/ftt/2013/11/page-2237.html.ru
- Багаев В. С., Кривобок В. С., Николаев С. Н., Онищенко Е. Е., Пручкина А. А., Аминев Д. Ф., Скориков М. Л., Лобанов Д. Н., Новиков А. В.
Динамика фазовых переходов в системе неравновесных носителей заряда в квантоворазмерных структурах Si1-xGex/Si ЖЭТФ, т. 144, N5, стр. 1045, (2013)
аннотация
В условиях импульсного возбуждения гетероструктур с квантовыми ямами Si1-x Gex/ Si исследована динамика фазового перехода «электронно-дырочная плазма-экситонный газ». Показано, что сценарий фазового перехода радикально зависит от содержания германия в слое Si1-x Gex. Для квантовых ям с содержанием германия x=3.5 % во временном диапазоне примерно 100-500 нс после возбуждающего импульса регистрируется расслоение электронно-дырочной системы на разреженную экситонную и плотную плазменную фазы. В данном случае существующая в квантовых ямах электронно-дырочная плазма обладает всеми признаками электронно-дырочной жидкости. Качественно иная картина фазового перехода наблюдается для квантовых ям с x=9.5 %, где расслоение на фазы с разным электронным спектром не регистрируется. Рекомбинация носителей в электронно-дырочной плазме приводит к постепенному ослаблению экранирования и появлению экситонных состояний. При содержании германия 5-7 % сценарий фазового перехода носит двоякий характер: примерно через 20-250 нс после импульса возбуждения свойства электронно-дырочной системы описываются в рамках представлений об однородной электронно-дырочной плазме, в то время как примерно через 350 нс регистрируется расслоение на электронно-дырочную жидкость и экситонный газ. Показано, что для существования электронно-дырочной жидкости в квантовых ямах с содержанием германия x=5-7 % необходим экситонный газ существенно большей плотности, чем в квантовых ямах с x=3.5 %. Данное наблюдение согласуется с уменьшением глубины локального минимума энергии электронно-дырочной плазмы при увеличении концентрации германия в слое SiGe. Показано, что возрастание плотности экситонного газа, сосуществующего с электронно-дырочной жидкостью, способствует увеличению роли многочастичных состояний, предположительно трионов T+ и биэкситонов, в экситонном газе.
www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/r/144/5/p1045?a=list
- Т. М. Бурбаев, Д. С. Козырев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков
Люминесценция квазидвумерной электронно-дырочной жидкости и экситонных молекул в гетероструктурах Si/SiGe/Si при двухэлектронных переходах Письма в ЖЭТФ, т. 98, N12, стр. 926, (2013)
аннотация
Исследована низкотемпературная фотолюминесценция (ФЛ) гетероструктур Si/Si0.91Ge0.09/Si в ближней инфракрасной (БИК) и видимой областях спектра. Для структуры с туннельно прозрачным для электронов слоем SiGe путем сравнения формы широкой линии люминесценции в видимой области с численной сверткой спектра излучения электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в БИК-области показано, что при высоких уровнях возбуждения излучение в видимой области вызвано двухэлектронными переходами в квазидвумерной пространственно прямой ЭДЖ. Из совместного анализа спектров ФЛ в БИК и видимой областях определена энергия связи квазидвумерного свободного биэкситона в слое SiGe этих гетероструктур. В структурах с широким туннельно непрозрачным для электронов SiGe-слоем обнаружена пространственно непрямая (диполярная) ЭДЖ.
www.jetpletters.ac.ru/ps/2028/article_30585.shtml
2012
- М. В. Кочиев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков
Влияние уровня фотовозбуждения на температурное тушение и динамику люминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами Известия РАН (серия физическая), т. 76, N2, стр. 247, (2012)
аннотация
Исследовано влияние уровня фотовозбуждения на динамику люминесценции экситонов с тяжелы
ми дырками в мелких туннельно изолированных квантовых ямах структуры GaAs/AlxGa1 – xAs (x =
= 0.05) при температурах от 5 до 70 К. Показано, что времена жизни экситонов сильно зависят от
уровня возбуждения, а энергии активации тепловой эмиссии неравновесных носителей заряда из
ям практически не зависят.
10.3103/S1062873812020153
2011
- D. Shepel, T. Burbaev, N. Sibeldin, and M. Skorikov
Quasi-two-dimensional electron-hole liquid and biexcitons in SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures Physica Status Solidi С, vol. 8, p. 1186, (2011)
аннотация
The electron–hole liquid (EHL) in quantum-confinement SiGe layers of Si/Si1-xGex /Si heterostructures is discovered and its properties are studied by photoluminescence spectroscopy in the near-infrared and visible spectral ranges. It is established that the EHL is composed by quasi-two-dimensional holes in the quantum well formed by the SiGe layer and quasi-three-dimensional electrons, which occupy a wider region of space centered on this layer. Conditions on the band parameters of a type-II heterostructure under which the formation of the EHL and biexcitons in such a structure is possible are determined.
10.1002/pssc.201000821
- V. V. Belykh, V. A. Tsvetkov, M. L. Skorikov and N. N. Sibeldin
Nonlinear emission dynamics of a GaAs microcavity with embedded quantum wells Journal of Physics-Condensed Matter, vol. 23, p. 215302, (2011)
аннотация
The emission dynamics of a GaAs microcavity at different angles of observation with respect to the sample normal under conditions of nonresonant picosecond-pulse excitation is measured. At sufficiently high excitation densities, the decay time of the lower polariton emission increases with the polariton wavevector; at low excitation densities the decay time is independent of the wavevector. The effect of additional nonresonant continuous illumination on the emission originating from the bottom of the lower polariton branch is investigated. The additional illumination leads to a substantial increase in the emission intensity (considerably larger than the intensity of the photoluminescence excited by this illumination alone). This fact is explained in terms of acceleration of the polariton relaxation to the radiative states due to scattering by charge carriers created by the additional illumination. The results obtained show that, at large negative detunings between the photon and exciton modes, polariton–polariton and polariton–free carrier scattering are the main processes responsible for the filling of states near the bottom of the lower polariton branch.
10.1088/0953-8984/23/21/215302
- В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, М. Л. Скориков, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов
Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и спектр многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si Письма в ЖЭТФ, т. 94, N1, стр. 63, (2011)
аннотация
Продемонстрировано влияние барьера для электронов в слое SiGe на работу выхода и равновесную концентрацию квазидвумерной конденсированной фазы, образующейся в квантовых ямах SiGe/Si. При величине барьера, близкой к критической для образования электронно-дырочной жидкости, обнаружен новый канал рекомбинации, обладающий нестандартными свойствами.
www.jetpletters.ac.ru/ps/1941/article_29432.shtml
- Багаев В. С., Кривобок В. С., Онищенко Е. Е., Скориков М. Л., Шепель А. А.
Резонансная спектроскопия донорных и акцепторных центров в компенсированном теллуриде кадмия ЖЭТФ, т. 140, N5, стр. 929, (2011)
аннотация
С помощью методик, основанных на селективном возбуждении низкотемпературной фотолюминесценции, проведен анализ электронного спектра дефектов, возникающих в сильно компенсированном теллуриде кадмия ( CdTe). Показано, что доминирующие (с наибольшей концентрацией) акцепторы имеют энергии активации 48.2\\\\pm0.4 мэВ, 97.9\\\\pm0.6 мэВ, 119.7\\\\pm1.0 мэВ, не характерные для известных примесей замещения в CdTe. Для каждого из перечисленных акцепторов определены энергии возбужденных состояний и сделаны предварительные выводы о симметрии центров. Наблюдаемая структура возбужденных состояний отличается от спектра стандартных акцепторов замещения и дает возможность моделировать электронную конфигурацию дефектов.
www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/r/140/5/p929?a=list
2010
- Т.М. Бурбаев, М.Н. Гордеев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.М. Рзаев, Н.Н. Сибельдин, М.Л. Скориков, В.А. Цветков, Д.В. Шепель
Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si Письма в ЖЭТФ, т. 92, стр. 341, (2010)
- Т. М. Бурбаев, М. Н. Гордеев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, Д. В. Шепель
Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si Письма в ЖЭТФ, т. 92, стр. 341, (2010)
аннотация
В квантово- размерных SiGe- слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si II рода обнаружена электронно- дырочная жидкость (ЭДЖ), состоящая из квазидвумерных дырок в квантовой яме в SiGe- слое и квазитрехмерных электронов, также находящихся в этом слое. Определены концентрации дырок и электронов в ЭДЖ, равные p_0\\\\approx 8.5\\\\cdot10^{11} см-2 и n_0 \\\\approx4.8\\\\cdot10^{18} см-3, соответственно. Показано, что газовая фаза состоит из экситонов и экситонных молекул. Установлены требования к зонным параметрам структуры, при выполнении которых возможно образование ЭДЖ и биэкситонов.
www.jetpletters.ac.ru/ps/1906/article_28946.shtml
- Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, Ю. В. Копаев, Ю. Г. Садофьев, М. Л. Скориков
Многопериодная структура для фонтанного режима генерации униполярного лазера Квантовая Электроника, т. 40, N8, стр. 685, (2010)
аннотация
На основе расчетов потенциального профиля и времен релаксации для активного элемента униполярного лазера с сильно асимметричными по высоте барьерами выполнена оптимизация параметров, обеспечивающих подавление межподзонной безызлучательной релаксации между лазерными уровнями. Исследованы спектры фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции и ИК поглощения структуры с многократно повторяющимся оптимизированным активным элементом. Сопоставление результатов эксперимента и расчетов продемонстрировало хорошее согласие полученных данных.
www.quantum-electron.ru/php/paper_rus.phtml?journal_id=qe&paper_id=14346
10.1070/QE2010v040n08ABEH014346
- V. S. Bagaev, V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, A. V. Novikov, E. E. Onishchenko, and M. L. Skorikov
Observation of the electron-hole liquid in Si1−xGex/Si quantum wells by steady-state and time-resolved photoluminescence measurements Phys. Rev. B, vol. 82, p. 115313, (2010)
аннотация
The formation of quasi-two-dimensional electron-hole liquid in a Si0.95Ge0.05/Si quantum-well structure was observed by steady-state and time-resolved photoluminescence measurements. In the temperature range 2–15 K, the main characteristics of the liquid phase (e.g., the equilibrium concentration of 1.0×1012 cm−2 and lifetime of 400 ns) remain unchanged. However the nature of the related excitonic gas-liquid transition depends on the temperature and the disorder in the system.
10.1103/PhysRevB.82.115313
2009
- В. В. Белых, М. Х. Нгуен, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, А. В. Шарков
Динамика перехода от режима слабой связи к режиму сильной связи в системе экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах ЖЭТФ, т. 136, стр. 550, (2009)
аннотация
The dynamics of polaritonic emission of a GaAs-based microcavity with embedded quantum wells under nonresonant optical excitation is studied. Kinetic dependences of the intensity, spectral position, and linewidth of spontaneous and stimulated emission of the microcavity are measured. It is established that the dynamics of the high-frequency shift of the emission line is qualitatively similar to the dynamics of the emission intensity, but the spectral shift attains its maximum value before the peak intensity is reached. The emission linewidth is maximal immediately after the excitation pulse. Under the conditions of spontaneous emission, the linewidth decreases steadily with time, approaching the value corresponding to low polariton densities. Under lasing conditions, the linewidth is at a minimum when the stimulated-emission intensity attains its peak value. The experimental data are analyzed on the basis of a theoretical model that describes relaxation processes taking into account exciton-exciton and exciton-free carrier interactions.
10.1134/S1063776109090131
- В. В. Белых, М. Х. Нгуен, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, А. В. Шарков
Динамика излучения GaAs микрорезонатора с встроенными квантовыми ямами при высоких плотностях нерезонансного возбуждения Письма в ЖЭТФ, т. 89, стр. 681, (2009)
аннотация
In a GaAs-based microcavity with embedded quantum wells, the dynamics of emission processes under high levels of nonresonant picosecond laser-pulse excitation is studied. For pump levels above the stimulation threshold, the kinetics of the intensity, spectral position, and linewidth of the emission are measured. Upon the arrival of an excitation pulse, the emission line shifts to higher energies over a time interval comparable to the time it takes for the emission intensity to attain its peak value, and then shifts in the opposite direction towards its position at low polariton densities. The width of the emission line is largest immediately after the excitation pulse and attains a minimum when the stimulated-emission intensity is maximum. It is shown that after the excitation pulse, the system is initially in a weak exciton-photon coupling regime, and a transition to a strong-coupling regime occurs with time.
10.1134/S0021364009110113
2007
- Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков
Кинетика экситон-трионной системы в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Известия РАН (серия физическая), т. 71, N1, стр. 97, (2007)
недавние публикации
Расположение корпуса на территории института
|
