logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт им. П.Н.Лебедева
Российской академии наук

person\'s photo
Пожидаев Евгений Павлович
доктор физ.-мат. наук
Лаборатория оптоэлектронных процессоров Высококвалифицированный ведущий научный сотрудник, доктор наук г. Москва Ленинский пр-т. 53с1 (корп.1) к. 459
Лаборатория оптоэлектронных процессоров Ведущий научный сотрудник, доктор наук

Контакты

Телефоны:
Схема расположения корпуса:

г. Москва Ленинский пр-т. 53с1 (корп.1) к. 459

Дополнительная информация

Пожидаев Евгений Павлович, доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Отделения квантовой радиофизики ФИАН. Закончил физический факультет МГУ в 1975 году. Работает в Отделении квантовой радиофизики ФИАН с 1992 года.
Научные интересы находятся в физике твердого тела, молекулярной физике, физике поверхности, кристалло- и электрооптике, в материаловедении. Им открыт эффект мультистабильности в жидкокристаллических сегнетоэлектриках, выполнен целый ряд фундаментальных пионерских работ по механизмам диссипации энергии и эффектам памяти в жидких кристаллах, по исследованию фазовых переходов и дипольного упорядочения, по созданию и исследованию свойств композитных материалов, по методам управления полярностью наноразмерной твёрдой поверхности. Он лично создал широкий ассортимент жидкокристаллических сегнетоэлектрических материалов, являющихся самыми быстродействующими жидкими кристаллами, используемыми в настоящее время в научно-исследовательских и опытно-конструкторских работах как в России, так и за её пределами, в частности, в США, Германии и Китае. При его творческом и организационном участии и на основе его научных результатов решена проблема создания дисплея, способного длительное время сохранять полутоновые изображения без источника питания, разработана линия оптической связи на случайных источниках света, система виртуальной реальности для тренажёров, создан низковольный аналог ячейки Поккельса, осуществляющий модуляцию света на частоте до 150 килогерц при полуволновом напряжении менее 30 В.
Он постоянно ведёт активное и многоплановое международное научно-техническое сотрудничество, в частности, последние 10 лет - с учёными и инженерами Германии, Китая (Гонконга) и Италии, участвовал во многих международных научных и научно-технических проектах в качестве координатора или ответственного исполнителя с российской стороны. Соавтор двух монографий, более 90 публикаций в ведущих научных журналах и более 25 патентов, 16 из которых - международные патенты. Лауреат премии имени Н.Г. Басова за цикл работ по созданию и исследованию композитных материалов, награждён дипломом фирмы 'Самсунг' и российского отделения международного дисплейного общества за успехи в области развития перспективных дисплейных технологий, методов формирования и обработки изображений.

Расположение корпуса на территории института