|
Кочиев Михаил Валериевич
канд. физ.-мат. наук
Контакты
Дополнительная информация
Образование
2008 - Московский инженерно-физический институт.
2012 - канд. физ.-мат. наук, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва.
Достижения
-
В 2010 году доклад «Влияние уровня фотовозбуждения на кинетику экситонной люминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами» на XII Всероссийской молоджной конференции по физике полупроводников и наноструктур отмечен дипломом и премией имени Е.Ф. Гросса как лучший доклад по оптике твердого тела.
-
В 2012 году за цикл работ «Динамика неравновесных носителей заряда в наноструктурах GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами» на конкурсе молодежных научных работ ФИАН присуждена премия имени С.И. Вавилова.
-
В 2015 году доклад «Нагрев экситонной системы вследствие излучательной рекомбинации экситонов и биэкситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs» отмечен премией и дипломом за лучший доклад, представленный молодыми учеными на XII Российской конференции по физике полупроводников.
Scopus Author ID: 37102115400
Индивидуальный номер ученого: 00046582
ORCID: 0000-0002-5653-6416 
Публикации
2015
- V. V. Belykh and M. V. Kochiev
Heating by exciton and biexciton recombination in GaAs/AlGaAs quantum wells Phys. Rev. B, vol. 92, pp. 045307, (2015)
аннотация
Acomprehensive experimental investigation of exciton and biexciton recombination in GaAs/AlGaAs quantum
wells is presented. Exciton and biexciton recombination times are found to be 16 and 55 ps, respectively.Amethod
of determining the dynamics of the exciton temperature is developed. It is shown that both exciton and biexciton
recombination processes increase the exciton temperature by an amount as high as ∼10 K. These processes
impose a new restriction on the possibility of exciton Bose-Einstein condensation and make impossible its
achievement in a system of direct excitons in GaAs quantum wells even for resonantly excited exciton gas.
10.1103/PhysRevB.92.045307
- М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 101, N3, стр. 200, (2015)
аннотация
В мелких квантовых ямах (КЯ) GaAs/AlGaAs (x = 0.05) методом фотолюминесценции изучены
кинетики накопления и релаксации долгоживущих избыточных дырок, появляющихся в КЯ при надбарьерном фотовозбуждении, а также процессы установления стационарного состояния в неравновесной электронно-дырочной системе при различных комбинациях квазистационарных внутриямного и надбарьерного возбуждений. Обнаружено, что температурная зависимость времени релаксации (исчезновения) избыточных дырок из КЯ имеет активационный характер и определяется двумя энергиями активации. Установлено, что рассеяние экситонов, образующихся при нерезонансном внутриямном возбуждении, на долгоживущих дырках приводит к охлаждению экситонной системы.
10.1134/S0021364015030054
все публикации
Расположение корпуса на территории института
|
