logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт им. П.Н.Лебедева
Российской академии наук

Подразделения - Лаборатория узкозонных полупроводников
Сотрудники списком / сеткой
Бабушкин
Анатолий Викторович
Ведущий инженер
Оськина
Светлана Ивановна
Ведущий инженер-технолог
Селиванов
Юрий Григорьевич
Высококвалифицированный старший научный сотрудник
Селиванов
Юрий Григорьевич
Старший научный сотрудник
Копылов
Вадим Викторович
Ведущий инженер
Чижевский
Евгений Григорьевич
Ведущий инженер-технолог
Засавицкий
Иван Иванович
Высококвалифицированный главный научный сотрудник, доктор наук
Козырев
Станислав Петрович
Высококвалифицированный старший научный сотрудник, кандидат наук
Ильясова
Екатерина Сафовна
Лаборант-исследователь
Кишев
Мурат Батырбекович
Инженер 1 категории
Молодцов
Иван Сергеевич
Инженер
Дополнительная информация
Лаборатория узкозонных полупроводников создана в начале 70-х годов XX века с целью исследования полупроводников с узкой запрещенной зоной (Eg ~ 0,1 эВ) типа А3В5 и А4В6. Основные направления исследований Лаборатории: энергетический спектр, электрические и оптические свойства, магнитооптика, а также создание различного типа полупроводниковых лазеров для средней ИК области спектра (2,5 – 46 мкм), включая инжекционные лазеры, спин-флип-лазер и квантовые каскадные лазеры. В настоящее время в лаборатории изучаются квантовые каскадные лазеры для области спектра 4 – 12 мкм, создаются инжекционные лазеры для терагерцовой области спектра, выращиваются и исследуются эпитаксиальные слои топологического изолятора.