logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт им. П.Н.Лебедева
Российской академии наук

person\'s photo
Цветков Виталий Анатольевич
канд. физ.-мат. наук
Лаборатория спиновой физики двумерных материалов Высококвалифицированный старший научный сотрудник, кандидат наук г. Москва Ленинский пр-т. 53с4 к. 161
Ученый совет Отделения физики твердого тела Член совета Ленинский пр-т. 53с4
Лаборатория спиновой физики двумерных материалов Старший научный сотрудник, кандидат наук

Контакты

Телефоны:
Схема расположения корпуса:

г. Москва Ленинский пр-т. 53с4 к. 161

Дополнительная информация




Биография

Цветков В.А. окончил Физический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук.
Цветков В.А. - высококвалифицированный специалист в области физики полупроводников, имеет более 80 печатных работ. Результаты его работ докладывались на Международных, Всесоюзных и Российских конференциях и научных сессиях ООФА АН.
Работы Цветкова В.А. посвящены, в основном, изучению свойств неравновесных носителей тока и фононов в сильно возбужденных полупроводниках. В этих работах впервые получен ряд принципиальных результатов: установлены основные закономерности кинетики конденсации экситонов, обнаружен и детально исследован эффект увлечения электронно-дырочных капель неравновесными акустическими фононами; обнаружена магнитостабилизированная электронно-дырочная жидкость и определены ее основные термодинамические параметры (плотность и энергия связи) в функции напряженности магнитного поля; показано, что при мощной оптической накачке охлаждаемого жидким гелием полупроводника в гелии возбуждаются ударные волны слабой интенсивности и др..
В последнее время Цветков В.А. занимается исследованиями оптических свойств полупроводниковых низкоразмерных наноструктур. Им и его соавторами прямыми экспериментами было продемонстрировано влияние параллельного слоям гетероструктуры магнитного поля на туннельную связь между квантовыми ямами (КЯ); обнаружено существование в мелкой GaAs/AlGaAs КЯ экситонов, образованных из локализованных в яме электронов и свободных тяжелых дырок; показано, что полосы возрастания и ослабления интенсивности фотолюминесценции свободных экситонов и трионов, локализованных в КЯ, наблюдаемые при изменении энергии квантов возбуждающего света находятся в противофазе при энергиях квантов, превышающих ширину запрещенной зоны AlGaAs-барьерных слоев.

Публикации

2015
  1. М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
    Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 101, N3, стр. 200, (2015)
    аннотация
  2. А. А. Горбацевич, В. И. Егоркин, И. П. Казаков, О. А. Клименко, А. Ю. Клоков, Ю. А. Митягин, В. Н. Мурзин, С. А. Савинов, В. А. Цветков
    Исследование динамических характеристик «низкотемпературного» арсенида галлия для генераторов и детекторов терагерцового диапазона Краткие сообщения по физике, Москва, ФИАН, N5, стр. 3, (2015)
    аннотация
2014
  1. A. Klokov, V. Tsvetkov, A. Sharkov, D. Aminev and R. Khmelnitskiy
    Graphitized Layer Buried in a Diamond: SAW Generation under Picosecond Optical Excitation Journal of Physics: Conference Series, vol. 520, p. 012006, (2014)
    аннотация
  2. Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, М. В. Кочиев, Ю. Г. Садофьев, В. А. Цветков
    Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания униполярных лазеров Письма в ЖЭТФ, т. 99, N4, стр. 207, (2014)
    аннотация
2012
  1. М. В. Кочиев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков
    Влияние уровня фотовозбуждения на температурное тушение и динамику люминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами Известия РАН (серия физическая), т. 76, N2, стр. 247, (2012)
    аннотация
  2. М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
    Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 95, N9, стр. 544, (2012)
    аннотация
2011
  1. A. Klokov, M. Kochiev, A. Sharkov, V. Tsvetkov and R. Khmelnitskiy
    Graphitized layer buried in a diamond: photothermal properties and hypersound generation under picosecond optical excitation Journal of Physics: Conference Series, vol. 278, N1, p. 012019, (2011)
    аннотация
  2. V. V. Belykh, V. A. Tsvetkov, M. L. Skorikov and N. N. Sibeldin
    Nonlinear emission dynamics of a GaAs microcavity with embedded quantum wells Journal of Physics-Condensed Matter, vol. 23, p. 215302, (2011)
    аннотация
2010
  1. М. В. Кочиев, М. Х. Нгуен, В. А. Цветков
    Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах Научно-технические ведомости СПбГПУ, серия «Физико-математические науки, т. 3, N104, стр. 58, (2010)
  2. Т.М. Бурбаев, М.Н. Гордеев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.М. Рзаев, Н.Н. Сибельдин, М.Л. Скориков, В.А. Цветков, Д.В. Шепель
    Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si Письма в ЖЭТФ, т. 92, стр. 341, (2010)
  3. Т. М. Бурбаев, М. Н. Гордеев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, Д. В. Шепель
    Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si Письма в ЖЭТФ, т. 92, стр. 341, (2010)
    аннотация
2009
  1. В. В. Белых, М. Х. Нгуен, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, А. В. Шарков
    Динамика перехода от режима слабой связи к режиму сильной связи в системе экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах ЖЭТФ, т. 136, стр. 550, (2009)
    аннотация
  2. В. В. Белых, М. Х. Нгуен, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, А. В. Шарков
    Динамика излучения GaAs микрорезонатора с встроенными квантовыми ямами при высоких плотностях нерезонансного возбуждения Письма в ЖЭТФ, т. 89, стр. 681, (2009)
    аннотация
2007
  1. Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков
    Кинетика экситон-трионной системы в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Известия РАН (серия физическая), т. 71, N1, стр. 97, (2007)
2005
  1. Т.М. Бурбаев, В. А. Курбатов, М. М. Рзаев, А. О. Погосов, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, H. Lichtenberger, F. Shäffler, A. Fonseca, N. A. Sobolev, J. P. Leitao and M. C. Carmo.
    Морфологическая перестройка слоя германия на кремнии при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии. ФТТ, т. 47, N1, стр. 70-73, (2005)
2004
  1. Т.М.Бурбаев, В.А.Курбатов, А.О.Погосов, М.М. Рзаев, Н.Н.Сибельдин, В.А.Цветков,
    Фотолюминесценция Si/Ge наноструктур, выращенных при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии ФТТ, т. 46, N1, стр. 74-76, (2004)
недавние публикации

Расположение корпуса на территории института