ФИАН
Научная деятельность
|
Цветков Виталий Анатольевич
канд. физ.-мат. наук
Контакты
Дополнительная информация
Биография
Цветков В.А. окончил Физический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук.
Цветков В.А. - высококвалифицированный специалист в области физики полупроводников, имеет более 80 печатных работ. Результаты его работ докладывались на Международных, Всесоюзных и Российских конференциях и научных сессиях ООФА АН.
Работы Цветкова В.А. посвящены, в основном, изучению свойств неравновесных носителей тока и фононов в сильно возбужденных полупроводниках. В этих работах впервые получен ряд принципиальных результатов: установлены основные закономерности кинетики конденсации экситонов, обнаружен и детально исследован эффект увлечения электронно-дырочных капель неравновесными акустическими фононами; обнаружена магнитостабилизированная электронно-дырочная жидкость и определены ее основные термодинамические параметры (плотность и энергия связи) в функции напряженности магнитного поля; показано, что при мощной оптической накачке охлаждаемого жидким гелием полупроводника в гелии возбуждаются ударные волны слабой интенсивности и др..
В последнее время Цветков В.А. занимается исследованиями оптических свойств полупроводниковых низкоразмерных наноструктур. Им и его соавторами прямыми экспериментами было продемонстрировано влияние параллельного слоям гетероструктуры магнитного поля на туннельную связь между квантовыми ямами (КЯ); обнаружено существование в мелкой GaAs/AlGaAs КЯ экситонов, образованных из локализованных в яме электронов и свободных тяжелых дырок; показано, что полосы возрастания и ослабления интенсивности фотолюминесценции свободных экситонов и трионов, локализованных в КЯ, наблюдаемые при изменении энергии квантов возбуждающего света находятся в противофазе при энергиях квантов, превышающих ширину запрещенной зоны AlGaAs-барьерных слоев.
Публикации
2015
- М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 101, N3, стр. 200, (2015)
аннотация
В мелких квантовых ямах (КЯ) GaAs/AlGaAs (x = 0.05) методом фотолюминесценции изучены
кинетики накопления и релаксации долгоживущих избыточных дырок, появляющихся в КЯ при надбарьерном фотовозбуждении, а также процессы установления стационарного состояния в неравновесной электронно-дырочной системе при различных комбинациях квазистационарных внутриямного и надбарьерного возбуждений. Обнаружено, что температурная зависимость времени релаксации (исчезновения) избыточных дырок из КЯ имеет активационный характер и определяется двумя энергиями активации. Установлено, что рассеяние экситонов, образующихся при нерезонансном внутриямном возбуждении, на долгоживущих дырках приводит к охлаждению экситонной системы.
10.1134/S0021364015030054
- А. А. Горбацевич, В. И. Егоркин, И. П. Казаков, О. А. Клименко, А. Ю. Клоков, Ю. А. Митягин, В. Н. Мурзин, С. А. Савинов, В. А. Цветков
Исследование динамических характеристик «низкотемпературного» арсенида галлия для генераторов и детекторов терагерцового диапазона Краткие сообщения по физике, Москва, ФИАН, N5, стр. 3, (2015)
аннотация
Методом pump-probe оптического отражения определено время жизни свободных неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках «низкотемпературного» арсенида галлия (LT-GaAs). Оценено темновое удельное сопротивление LT-GaAs слоев. Методом фурье-спектроскопии измерены спектры излучения LTGaAs фотопроводящих антенн в области терагерцовых частот.
ksf.lebedev.ru/outputfile_mainpage.php?id=1375
2014
- A. Klokov, V. Tsvetkov, A. Sharkov, D. Aminev and R. Khmelnitskiy
Graphitized Layer Buried in a Diamond: SAW Generation under Picosecond Optical Excitation Journal of Physics: Conference Series, vol. 520, p. 012006, (2014)
аннотация
The excitation of SAW was detected on diamond with built-in ion-implanted
graphitized layer under its illumination with femtosecond laser pulses. The spectral width of a
SAW pulses were in the range of 1.5 2 GHz. It was found out that the anisotropy of the SAW
propagation was practically absent. The increase in the implantation dose from 4 1015 cm-2 to
12 1015 cm-2 was shown to give rise to a dispersion of SAW propagation.
- Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, М. В. Кочиев, Ю. Г. Садофьев, В. А. Цветков
Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания униполярных лазеров Письма в ЖЭТФ, т. 99, N4, стр. 207, (2014)
аннотация
Исследована кинетика фотолюминесценции в многопериодных структурах квантовых ям GaAs/AlGaAs с асимметричными по высоте барьерами. За счет асимметрии барьеров достигнуто рекордно большое для униполярных лазеров время безызлучательной рекомбинации между лазерными подзонами (9 пс), которое превышает время безызлучательной релаксации с нижней лазерной подзоны. Это обеспечивает инверсную населенность в такой системе. Продемонстрировано эффективное подавление паразитного каскадного перехода между лазерными подзонами через состояния квазинепрерывного спектра.
www.jetpletters.ac.ru/ps/2032/article_30629.shtml
2012
- М. В. Кочиев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков
Влияние уровня фотовозбуждения на температурное тушение и динамику люминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами Известия РАН (серия физическая), т. 76, N2, стр. 247, (2012)
аннотация
Исследовано влияние уровня фотовозбуждения на динамику люминесценции экситонов с тяжелы
ми дырками в мелких туннельно изолированных квантовых ямах структуры GaAs/AlxGa1 – xAs (x =
= 0.05) при температурах от 5 до 70 К. Показано, что времена жизни экситонов сильно зависят от
уровня возбуждения, а энергии активации тепловой эмиссии неравновесных носителей заряда из
ям практически не зависят.
10.3103/S1062873812020153
- М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 95, N9, стр. 544, (2012)
аннотация
В экспериментах, выполненных при различных частотах следования пикосекундных лазерных импульсов внутриямного, надбарьерного и «двухцветного» возбуждения, исследована динамика экситонов и трионов в структурах GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами (КЯ). Установлено, что ключевую роль в формировании и динамике экситон-трионной системы, определяющую ее парциальный состав и кинетические свойства, играют избыточные одноименные носители заряда, накапливающиеся в КЯ при надбарьерной накачке. Из экспериментальных данных оценено время существования в КЯ избыточных носителей заряда, которое превышает 10 мкс.
www.jetpletters.ac.ru/ps/1962/article_29700.shtml
2011
- A. Klokov, M. Kochiev, A. Sharkov, V. Tsvetkov and R. Khmelnitskiy
Graphitized layer buried in a diamond: photothermal properties and hypersound generation under picosecond optical excitation Journal of Physics: Conference Series, vol. 278, N1, p. 012019, (2011)
аннотация
We assume that a coherent phonon generation was found out in structures with a
single graphitized layer under picosecond laser excitation by means of the Pump/Probe
method. The thermal component of the response was calculated that allowed us to define the
photothermal coefficient of the graphitized layer as well as its thermal conductivity from the
experimental results. The thermal-conductivity coefficient of the graphitized layer appears to
grow with the thickness decrease. This makes it possible to assume that the microstructure of
the graphitized layer produced during annealing depends on its thickness.
iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/278/1/012019
- V. V. Belykh, V. A. Tsvetkov, M. L. Skorikov and N. N. Sibeldin
Nonlinear emission dynamics of a GaAs microcavity with embedded quantum wells Journal of Physics-Condensed Matter, vol. 23, p. 215302, (2011)
аннотация
The emission dynamics of a GaAs microcavity at different angles of observation with respect to the sample normal under conditions of nonresonant picosecond-pulse excitation is measured. At sufficiently high excitation densities, the decay time of the lower polariton emission increases with the polariton wavevector; at low excitation densities the decay time is independent of the wavevector. The effect of additional nonresonant continuous illumination on the emission originating from the bottom of the lower polariton branch is investigated. The additional illumination leads to a substantial increase in the emission intensity (considerably larger than the intensity of the photoluminescence excited by this illumination alone). This fact is explained in terms of acceleration of the polariton relaxation to the radiative states due to scattering by charge carriers created by the additional illumination. The results obtained show that, at large negative detunings between the photon and exciton modes, polariton–polariton and polariton–free carrier scattering are the main processes responsible for the filling of states near the bottom of the lower polariton branch.
10.1088/0953-8984/23/21/215302
2010
- М. В. Кочиев, М. Х. Нгуен, В. А. Цветков
Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах Научно-технические ведомости СПбГПУ, серия «Физико-математические науки, т. 3, N104, стр. 58, (2010)
- Т.М. Бурбаев, М.Н. Гордеев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.М. Рзаев, Н.Н. Сибельдин, М.Л. Скориков, В.А. Цветков, Д.В. Шепель
Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si Письма в ЖЭТФ, т. 92, стр. 341, (2010)
- Т. М. Бурбаев, М. Н. Гордеев, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. М. Рзаев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, Д. В. Шепель
Электронно-дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si Письма в ЖЭТФ, т. 92, стр. 341, (2010)
аннотация
В квантово- размерных SiGe- слоях гетероструктур Si/Si1-xGex/Si II рода обнаружена электронно- дырочная жидкость (ЭДЖ), состоящая из квазидвумерных дырок в квантовой яме в SiGe- слое и квазитрехмерных электронов, также находящихся в этом слое. Определены концентрации дырок и электронов в ЭДЖ, равные p_0\\\\approx 8.5\\\\cdot10^{11} см-2 и n_0 \\\\approx4.8\\\\cdot10^{18} см-3, соответственно. Показано, что газовая фаза состоит из экситонов и экситонных молекул. Установлены требования к зонным параметрам структуры, при выполнении которых возможно образование ЭДЖ и биэкситонов.
www.jetpletters.ac.ru/ps/1906/article_28946.shtml
2009
- В. В. Белых, М. Х. Нгуен, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, А. В. Шарков
Динамика перехода от режима слабой связи к режиму сильной связи в системе экситонных поляритонов в полупроводниковых микрорезонаторах ЖЭТФ, т. 136, стр. 550, (2009)
аннотация
The dynamics of polaritonic emission of a GaAs-based microcavity with embedded quantum wells under nonresonant optical excitation is studied. Kinetic dependences of the intensity, spectral position, and linewidth of spontaneous and stimulated emission of the microcavity are measured. It is established that the dynamics of the high-frequency shift of the emission line is qualitatively similar to the dynamics of the emission intensity, but the spectral shift attains its maximum value before the peak intensity is reached. The emission linewidth is maximal immediately after the excitation pulse. Under the conditions of spontaneous emission, the linewidth decreases steadily with time, approaching the value corresponding to low polariton densities. Under lasing conditions, the linewidth is at a minimum when the stimulated-emission intensity attains its peak value. The experimental data are analyzed on the basis of a theoretical model that describes relaxation processes taking into account exciton-exciton and exciton-free carrier interactions.
10.1134/S1063776109090131
- В. В. Белых, М. Х. Нгуен, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков, А. В. Шарков
Динамика излучения GaAs микрорезонатора с встроенными квантовыми ямами при высоких плотностях нерезонансного возбуждения Письма в ЖЭТФ, т. 89, стр. 681, (2009)
аннотация
In a GaAs-based microcavity with embedded quantum wells, the dynamics of emission processes under high levels of nonresonant picosecond laser-pulse excitation is studied. For pump levels above the stimulation threshold, the kinetics of the intensity, spectral position, and linewidth of the emission are measured. Upon the arrival of an excitation pulse, the emission line shifts to higher energies over a time interval comparable to the time it takes for the emission intensity to attain its peak value, and then shifts in the opposite direction towards its position at low polariton densities. The width of the emission line is largest immediately after the excitation pulse and attains a minimum when the stimulated-emission intensity is maximum. It is shown that after the excitation pulse, the system is initially in a weak exciton-photon coupling regime, and a transition to a strong-coupling regime occurs with time.
10.1134/S0021364009110113
2007
- Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков
Кинетика экситон-трионной системы в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Известия РАН (серия физическая), т. 71, N1, стр. 97, (2007)
2005
- Т.М. Бурбаев, В. А. Курбатов, М. М. Рзаев, А. О. Погосов, Н. Н. Сибельдин, В. А. Цветков, H. Lichtenberger, F. Shäffler, A. Fonseca, N. A. Sobolev, J. P. Leitao and M. C. Carmo.
Морфологическая перестройка слоя германия на кремнии при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии. ФТТ, т. 47, N1, стр. 70-73, (2005)
2004
- Т.М.Бурбаев, В.А.Курбатов, А.О.Погосов, М.М. Рзаев, Н.Н.Сибельдин, В.А.Цветков,
Фотолюминесценция Si/Ge наноструктур, выращенных при низких температурах молекулярно-пучковой эпитаксии ФТТ, т. 46, N1, стр. 74-76, (2004)
недавние публикации
Расположение корпуса на территории института
|
