ФИАН

• Главная
• Институт
• Новости
• Сотрудники института
• Подразделения
• Форум
• Контакты
• Конкурсная комиссия

Научная деятельность

• Ученый совет
• Диссертационные советы
• Аспирантура
• Электронный доступ к журналам
• Отчетные доклады
• Лицензии
• Конкурсы
• Международное сотрудничество
• Конференции
• Семинары

1. А. А. Горбацевич, В. И. Егоркин, И. П. Казаков, О. А. Клименко, А. Ю. Клоков, Ю. А. Митягин, В. Н. Мурзин, С. А. Савинов, В. А. Цветков
   Исследование динамических характеристик «низкотемпературного» арсенида галлия для генераторов и детекторов терагерцового диапазона Краткие сообщения по физике, Москва, ФИАН, N5, стр. 3, (2015)
   аннотация

   
   Методом pump-probe оптического отражения определено время жизни свободных неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках «низкотемпературного» арсенида галлия (LT-GaAs). Оценено темновое удельное сопротивление LT-GaAs слоев. Методом фурье-спектроскопии измерены спектры излучения LTGaAs фотопроводящих антенн в области терагерцовых частот. ksf.lebedev.ru/outputfile_mainpage.php?id=1375
   

1. A. Klokov, V. Tsvetkov, A. Sharkov, D. Aminev and R. Khmelnitskiy
   Graphitized Layer Buried in a Diamond: SAW Generation under Picosecond Optical Excitation Journal of Physics: Conference Series, vol. 520, p. 012006, (2014)
   аннотация

   
   The excitation of SAW was detected on diamond with built-in ion-implanted graphitized layer under its illumination with femtosecond laser pulses. The spectral width of a SAW pulses were in the range of 1.5 2 GHz. It was found out that the anisotropy of the SAW propagation was practically absent. The increase in the implantation dose from 4 1015 cm-2 to 12 1015 cm-2 was shown to give rise to a dispersion of SAW propagation.
   

1. A. Klokov, M. Kochiev, A. Sharkov, V. Tsvetkov and R. Khmelnitskiy
   Graphitized layer buried in a diamond: photothermal properties and hypersound generation under picosecond optical excitation Journal of Physics: Conference Series, vol. 278, N1, p. 012019, (2011)
   аннотация

   
   We assume that a coherent phonon generation was found out in structures with a single graphitized layer under picosecond laser excitation by means of the Pump/Probe method. The thermal component of the response was calculated that allowed us to define the photothermal coefficient of the graphitized layer as well as its thermal conductivity from the experimental results. The thermal-conductivity coefficient of the graphitized layer appears to grow with the thickness decrease. This makes it possible to assume that the microstructure of the graphitized layer produced during annealing depends on its thickness. iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/278/1/012019
   

1. А.Ю. Клоков, А.М. Шарков, Т.И. Галкина , Р.А Хмельницкий, В.А Дравин, А.А.Гиппиус
   Болометрический приемник, встроенный в объем алмаза Письма в ЖТФ, т. 27, N14, стр. 21-24, (2001)