logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт им. П.Н.Лебедева
Российской академии наук

Подразделения

Сотрудники ФИАН

person\'s photo
Кочиев Михаил Валериевич
канд. физ.-мат. наук
Лаборатория физики неоднородных систем Научный сотрудник, кандидат наук г. Москва Ленинский пр-т. 53, гл.здание к. 252

Контакты

Дополнительная информация

Образование

2008 - Московский инженерно-физический институт.
2012 - канд. физ.-мат. наук, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва.

Достижения

  • В 2010 году доклад «Влияние уровня фотовозбуждения на кинетику экситонной люминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами» на XII Всероссийской молоджной конференции по физике полупроводников и наноструктур отмечен дипломом и премией имени Е.Ф. Гросса как лучший доклад по оптике твердого тела.

  • В 2012 году за цикл работ «Динамика неравновесных носителей заряда в наноструктурах GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами» на конкурсе молодежных научных работ ФИАН присуждена премия имени С.И. Вавилова.

  • В 2015 году доклад «Нагрев экситонной системы вследствие излучательной рекомбинации экситонов и биэкситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs» отмечен премией и дипломом за лучший доклад, представленный молодыми учеными на XII Российской конференции по физике полупроводников.

 

Scopus Author ID: 37102115400

Индивидуальный номер ученого: 00046582

ORCID: 0000-0002-5653-6416

Follow me on ResearchGate

 

 

Публикации

2015
  1. V. V. Belykh and M. V. Kochiev
    Heating by exciton and biexciton recombination in GaAs/AlGaAs quantum wells Phys. Rev. B, vol. 92, pp. 045307, (2015)
    аннотация
  2. М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
    Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 101, N3, стр. 200, (2015)
    аннотация
все публикации

Расположение корпуса на территории института