logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт им. П.Н.Лебедева
Российской академии наук

Лаборатория узкозонных полупроводников

Лаборатория узкозонных полупроводников - Лаборатория узкозонных полупроводников

Сотрудники ФИАН

Дополнительная информация
Лаборатория узкозонных полупроводников создана в начале 70-х годов XX века с целью исследования полупроводников с узкой запрещенной зоной (Eg ~ 0,1 эВ) типа А3В5 и А4В6. Основные направления исследований Лаборатории:  энергетический спектр, электрические и оптические свойства, магнитооптика, а также создание различного типа полупроводниковых лазеров для средней ИК области спектра (2,5 – 46 мкм), включая инжекционные лазеры, спин-флип-лазер и квантовые каскадные лазеры. В настоящее время в лаборатории изучаются квантовые каскадные лазеры для области спектра 4 – 12 мкм, создаются инжекционные лазеры для терагерцовой области спектра, выращиваются и исследуются эпитаксиальные слои топологического изолятора.