ФИАН

• Главная
• Институт
• Новости
• Сотрудники института
• Подразделения
• Форум
• Контакты
• Конкурсная комиссия

Научная деятельность

• Ученый совет
• Диссертационные советы
• Аспирантура
• Электронный доступ к журналам
• Отчетные доклады
• Лицензии
• Конкурсы
• Международное сотрудничество
• Конференции
• Семинары

1. Багаев В. С., Давлетов Э. Т., Кривобок В. С., Николаев С. Н., Новиков А. В., Онищенко Е. Е., Пручкина А. А., Скориков М. Л.
   Многочастичные состояния и факторы, осложняющие экспериментальное наблюдение квантовой когерентности, в экситонном газе SiGe/Si квантовых ям ЖЭТФ, т. 148, N5, (2015)

1. Багаев В. С., Кривобок В. С., Николаев С. Н., Онищенко Е. Е., Пручкина А. А., Аминев Д. Ф., Скориков М. Л., Лобанов Д. Н., Новиков А. В.
   Динамика фазовых переходов в системе неравновесных носителей заряда в квантоворазмерных структурах Si1-xGex/Si ЖЭТФ, т. 144, N5, стр. 1045, (2013)
   аннотация

   
   В условиях импульсного возбуждения гетероструктур с квантовыми ямами Si1-x Gex/ Si исследована динамика фазового перехода «электронно-дырочная плазма-экситонный газ». Показано, что сценарий фазового перехода радикально зависит от содержания германия в слое Si1-x Gex. Для квантовых ям с содержанием германия x=3.5 % во временном диапазоне примерно 100-500 нс после возбуждающего импульса регистрируется расслоение электронно-дырочной системы на разреженную экситонную и плотную плазменную фазы. В данном случае существующая в квантовых ямах электронно-дырочная плазма обладает всеми признаками электронно-дырочной жидкости. Качественно иная картина фазового перехода наблюдается для квантовых ям с x=9.5 %, где расслоение на фазы с разным электронным спектром не регистрируется. Рекомбинация носителей в электронно-дырочной плазме приводит к постепенному ослаблению экранирования и появлению экситонных состояний. При содержании германия 5-7 % сценарий фазового перехода носит двоякий характер: примерно через 20-250 нс после импульса возбуждения свойства электронно-дырочной системы описываются в рамках представлений об однородной электронно-дырочной плазме, в то время как примерно через 350 нс регистрируется расслоение на электронно-дырочную жидкость и экситонный газ. Показано, что для существования электронно-дырочной жидкости в квантовых ямах с содержанием германия x=5-7 % необходим экситонный газ существенно большей плотности, чем в квантовых ямах с x=3.5 %. Данное наблюдение согласуется с уменьшением глубины локального минимума энергии электронно-дырочной плазмы при увеличении концентрации германия в слое SiGe. Показано, что возрастание плотности экситонного газа, сосуществующего с электронно-дырочной жидкостью, способствует увеличению роли многочастичных состояний, предположительно трионов T+ и биэкситонов, в экситонном газе. www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/r/144/5/p1045?a=list