|
|||||
ФИАННаучная деятельностьДля сотрудников |
![]() Скориков Михаил Львович
Лаборатория спиновой физики двумерных материалов
Высококвалифицированный научный сотрудник г. Москва Ленинский пр-т. 53с4 к. 252
Лаборатория спиновой физики двумерных материалов
Научный сотрудник
Контакты
Телефоны:
Схема расположения корпуса:
Дополнительная информацияРодился в 1966 г. Закончил кафедру квантовой радиофизики Московского физико-технического института в 1989 г. С 1989 г. - аспирант, а затем сотрудник лаборатории физики неоднородных систем отделения физики твердого тела ФИАН. Область научных интересов - оптические и нелинейнооптические явления в полупроводниках, изучение электронных свойств полупроводников и полупроводниковых систем пониженной размерности методами оптической спектроскопии. Основные публикацииО.П.Варнавский, А.Г.Витухновский, Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков Пикосекундная кинетика люминесценции квантово-размерных систем: полупроводниковых сверхрешеток и молекулярных агрегатов. Тезисы докладов Российской конференции "Микроэлектроника -94", Москва, 1994, ч.2, с. 435-436. М.Л.Скориков, И.И.Засавицкий, И.П.Казаков, Ю.Г.Садофьев, Н.Н.Сибельдин, В.А.Цветков, В.И.Цехош Магнитная локализация носителей заряда в квантовых ямах полупроводниковой асимметричной двухъямной структуры. Письма в ЖЭТФ, т.62, в.6, с. 500-505 (1995). Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков Экситонные спектры полупроводниковых сверхрешеток в параллельном магнитном поле. ФТТ, т. 40, вып. 5, с. 830-832 (1998). Е.А.Муляров, Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков, Б.Этьен Экситонные состояния в квантовых ямах, сформированные из "надбарьерных" электронных состояний Письма в ЖЭТФ, т.70, в.9, с. 613-619 (1999) Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков Кинетика образования экситонных комплексов в квантовых ямах нелегированных GaAs/AlGaAs структур Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10-14 сентября 2001 г.), с. 131 N.N.Sibeldin, M.L.Skorikov, V.A.Tsvetkov Formation of charged excitonic complexes in shallow quantum wells of undoped GaAs/AlGaAs structures under below-barrier and above-barrier photoexcitation. Nanotechnology, vol.12, no. 4, pp. 591-596 (December 2001) Н.Н.Сибельдин, М.Л.Скориков, В.А.Цветков Модуляция спектров резонансного рэлеевского рассеяния света GaAs/AlGaAs структур с квантовыми ямами при надбарьерной подсветке. Письма в ЖЭТФ, т.76, вып.10, с. 732-737 (2002). Born 1966. Graduated from the Moscow Institute of Physics and Technology (Chair of Quantum Radiophysics) in 1989. The same year joined the Laboratory of the Physics of Inhomogeneous Systems at the Solid-State Physics Division of the Lebedev Physical Institute. Specializes in studying optical and nonlinear-optical phenomena in semiconductors, in particular, investigating electronic properties of semiconductors and low-dimensional semiconductor systems by optical spectroscopy techniques. MAIN PUBLICATIONSM.L. Skorikov, I.I. Zasavitskii, I.P. Kazakov, Yu.G. Sadof'ev, N.N. Sibeldin, V.A. Tsvetkov, and V.I. Tsehosh Magnetic localization of the charge carriers in the quantum wells of an asymmetric double-well semiconductor heterostructure. Pis'ma v Zh. Eksp. Teor. Fiz., vol. 62, no. 6, pp. 500-505 (1995) /JETP Lett., vol. 62, no. 6, pp. 522-527/ N.N. Sibeldin, M.L. Skorikov, and V.A. Tsvetkov Exciton spectra of semiconductor superlattices in a parallel magnetic field Fiz. Tverd. Tela, vol. 40, no. 5, pp. 830-832 (1998) /Phys. Solid State, vol. 40, no. 5, pp. 764-766/ E.A. Muljarov, N.N. Sibeldin, M.L. Skorikov, V.A. Tsvetkov, and B. Etienne Excitonic states in quantum wells formed from "above-barrier" electron states Pis'ma v Zh. Eksp. Teor. Fiz., vol. 70, no. 9, pp. 613-619 (1999) /JETP Lett., vol. 70, no. 9, pp. 621-627/ N.N.Sibeldin, M.L.Skorikov, V.A.Tsvetkov Formation of charged excitonic complexes in shallow quantum wells of undoped GaAs/AlGaAs structures under below-barrier and above-barrier photoexcitation. Nanotechnology, vol.12, no. 4, pp. 591-596 (December 2001) N.N.Sibeldin, M.L.Skorikov, V.A.Tsvetkov Modulation of the spectra of resonance Rayleigh scattering of light in GaAs/AlGaAs quantum-well structures under additional above-barrier illumination Pis'ma v Zh. Eksp. Teor. Fiz., vol. 76, no. 10, pp. 732-737 (2002) /JETP Lett., vol. 76, no. 10, pp. 628-632 Публикации2015
|
||||
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт имени П. Н. Лебедева
Российской академии наук |