logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт им. П.Н.Лебедева
Российской академии наук

person\'s photo
Цветков Виталий Анатольевич
канд. физ.-мат. наук
Лаборатория спиновой физики двумерных материалов Высококвалифицированный старший научный сотрудник, кандидат наук г. Москва Ленинский пр-т. 53с4 к. 161
Ученый совет Отделения физики твердого тела Член совета Ленинский пр-т. 53с4

Контакты

Телефоны:
Схема расположения корпуса:

г. Москва Ленинский пр-т. 53с4 к. 161

Дополнительная информация




Биография

Цветков В.А. окончил Физический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук.
Цветков В.А. - высококвалифицированный специалист в области физики полупроводников, имеет более 80 печатных работ. Результаты его работ докладывались на Международных, Всесоюзных и Российских конференциях и научных сессиях ООФА АН.
Работы Цветкова В.А. посвящены, в основном, изучению свойств неравновесных носителей тока и фононов в сильно возбужденных полупроводниках. В этих работах впервые получен ряд принципиальных результатов: установлены основные закономерности кинетики конденсации экситонов, обнаружен и детально исследован эффект увлечения электронно-дырочных капель неравновесными акустическими фононами; обнаружена магнитостабилизированная электронно-дырочная жидкость и определены ее основные термодинамические параметры (плотность и энергия связи) в функции напряженности магнитного поля; показано, что при мощной оптической накачке охлаждаемого жидким гелием полупроводника в гелии возбуждаются ударные волны слабой интенсивности и др..
В последнее время Цветков В.А. занимается исследованиями оптических свойств полупроводниковых низкоразмерных наноструктур. Им и его соавторами прямыми экспериментами было продемонстрировано влияние параллельного слоям гетероструктуры магнитного поля на туннельную связь между квантовыми ямами (КЯ); обнаружено существование в мелкой GaAs/AlGaAs КЯ экситонов, образованных из локализованных в яме электронов и свободных тяжелых дырок; показано, что полосы возрастания и ослабления интенсивности фотолюминесценции свободных экситонов и трионов, локализованных в КЯ, наблюдаемые при изменении энергии квантов возбуждающего света находятся в противофазе при энергиях квантов, превышающих ширину запрещенной зоны AlGaAs-барьерных слоев.

Публикации

2015
  1. М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
    Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 101, N3, стр. 200, (2015)
    аннотация
  2. А. А. Горбацевич, В. И. Егоркин, И. П. Казаков, О. А. Клименко, А. Ю. Клоков, Ю. А. Митягин, В. Н. Мурзин, С. А. Савинов, В. А. Цветков
    Исследование динамических характеристик «низкотемпературного» арсенида галлия для генераторов и детекторов терагерцового диапазона Краткие сообщения по физике, Москва, ФИАН, N5, стр. 3, (2015)
    аннотация
все публикации

Расположение корпуса на территории института