|
|||||
ФИАННаучная деятельностьДля сотрудников |
Подразделения - Лаборатория физики дефектов и радиационных явлений в полупроводниках
Подразделения Института
- Отделение физики твердого тела (старое)
- Отдел физики твердотельных наноструктур
- Лаборатория физики дефектов и радиационных явлений в полупроводниках
Дополнительная информация
Лаборатория была создана в конце 80-х годов. Основные направления работ: исследование процессов формирования и свойств дефектов кристаллической структуры в алмазе и алмазоподобных полупроводниках, в том числе в ионно-имплантированном алмазе, исследование характеристик оптических центров, связанных с примесями и дефектами, исследование механизма фазового перехода алмаз-графит в процессе графитизации алмаза при термообработке, получение и исследование гетероструктур алмаз-графит, разработка технологии получения гетероэпитаксиальных структур алмаз-металл.
|
||||
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт имени П. Н. Лебедева
Российской академии наук |