logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт им. П.Н.Лебедева
Российской академии наук

Подразделения - Лаборатория полупроводниковых лазеров с электронной накачкой
Сотрудники списком / сеткой
Тасмагулов
Ильдус Данисович
Инженер-исследователь
Насибов
Александр Сергеевич
Высококвалифицированный главный научный сотрудник, доктор наук
Баграмов
Владимир Георгиевич
Высококвалифицированный старший научный сотрудник, кандидат наук
Пономарев
Игорь Владимирович
Высококвалифицированный старший научный сотрудник, кандидат наук
Топчий
Сергей Борисович
Ведущий инженер
Бережной
Константин Викторович
Высококвалифицированный научный сотрудник
Колесниченко
Владимир Николаевич
Инженер-электроник 2 категории
Плохинский
Юрий Владимирович
Инженер-электроник
Дополнительная информация
Лаборатория ПЛЭН была основана нобелевским лауреатом академиком Н.Г. Басовым в начале 70-х годов в целях исследования физических принципов создания мощных полупроводниковых лазерных устройств для оптоэлектронных систем и решения народнохозяйственных и оборонных задач. Основные направления исследований Лаб. ПЛЭН: полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком и электрическим полем («стримерные»), исследования по лазерному переносу вещества и взаимодействия лазерного излучения с биологическими объектами. В настоящее время в Лаборатории получены патенты по применению лазеров для переноса вещества, в частности для, 3D печати. Ведутся исследования по созданию полупроводниковых лазеров с комбинированной накачкой.