logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт им. П.Н.Лебедева
Российской академии наук

Подразделения - Лаборатория узкозонных полупроводников
Сотрудники списком / сеткой
Бабушкин Анатолий Викторович Ведущий инженер
Засавицкий Иван Иванович Главный научный сотрудник, доктор физ.-мат. наук
Ильясова Екатерина Сафовна Лаборант-исследователь
Кишев Мурат Батырбекович Инженер 1 категории
Козырев Станислав Петрович Высококвалифицированный старший научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук
Копылов Вадим Викторович Ведущий инженер
Оськина Светлана Ивановна Ведущий инженер-технолог
Селиванов Юрий Григорьевич Высококвалифицированный старший научный сотрудник
Чижевский Евгений Григорьевич Ведущий инженер-технолог
Молодцов Иван Сергеевич Инженер
Дополнительная информация
Лаборатория узкозонных полупроводников создана в начале 70-х годов XX века с целью исследования полупроводников с узкой запрещенной зоной (Eg ~ 0,1 эВ) типа А3В5 и А4В6. Основные направления исследований Лаборатории: энергетический спектр, электрические и оптические свойства, магнитооптика, а также создание различного типа полупроводниковых лазеров для средней ИК области спектра (2,5 – 46 мкм), включая инжекционные лазеры, спин-флип-лазер и квантовые каскадные лазеры. В настоящее время в лаборатории изучаются квантовые каскадные лазеры для области спектра 4 – 12 мкм, создаются инжекционные лазеры для терагерцовой области спектра, выращиваются и исследуются эпитаксиальные слои топологического изолятора.