logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт им. П.Н.Лебедева
Российской академии наук

Лаборатория полупроводниковых лазеров с электронной накачкой

Лаборатория полупроводниковых лазеров с электронной накачкой - Лаборатория полупроводниковых лазеров с электронной накачкой
Сотрудники списком / сеткой
Насибов Александр Сергеевич И.о. зав. лабораторией Высококвалифицированный главный научный сотрудник, доктор наук, профессор, доктор техн. наук
Баграмов Владимир Георгиевич Высококвалифицированный старший научный сотрудник, канд. техн. наук
Пономарев Игорь Владимирович Высококвалифицированный старший научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук
Бережной Константин Викторович Высококвалифицированный научный сотрудник
Топчий Сергей Борисович Ведущий инженер, канд. физ.-мат. наук
Лысенко Сергей Анатольевич Ведущий инженер
Колесниченко Владимир Николаевич Инженер-электроник 2 категории
Тасмагулов Ильдус Данисович Инженер-исследователь
Плохинский Юрий Владимирович Инженер-электроник
Дополнительная информация
Лаборатория ПЛЭН была основана нобелевским лауреатом академиком Н.Г. Басовым в начале 70-х годов в целях исследования физических принципов создания мощных полупроводниковых лазерных устройств для оптоэлектронных систем и решения народнохозяйственных и оборонных задач. Основные направления исследований Лаб. ПЛЭН: полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком и электрическим полем («стримерные»), исследования по лазерному переносу вещества и взаимодействия лазерного излучения с биологическими объектами. В настоящее время в Лаборатории получены патенты по применению лазеров для переноса вещества, в частности для, 3D печати. Ведутся исследования по созданию полупроводниковых лазеров с комбинированной накачкой.