About institute
Scientific Activity
|
Bagaev Victor Sergeevich Professor Doctor of Science (Physics and Mathematics)
Moscow Leninskiy Prospekt, 53c4 164
Contacts
Publications
2015
- Багаев В. С., Давлетов Э. Т., Кривобок В. С., Николаев С. Н., Новиков А. В., Онищенко Е. Е., Пручкина А. А., Скориков М. Л.
Многочастичные состояния и факторы, осложняющие экспериментальное наблюдение квантовой когерентности, в экситонном газе SiGe/Si квантовых ям ЖЭТФ, т. 148, N5, (2015)
2013
- Багаев В. С., Кривобок В. С., Николаев С. Н., Онищенко Е. Е., Пручкина А. А., Аминев Д. Ф., Скориков М. Л., Лобанов Д. Н., Новиков А. В.
Динамика фазовых переходов в системе неравновесных носителей заряда в квантоворазмерных структурах Si1-xGex/Si ЖЭТФ, т. 144, N5, стр. 1045, (2013)
аннотация
В условиях импульсного возбуждения гетероструктур с квантовыми ямами Si1-x Gex/ Si исследована динамика фазового перехода «электронно-дырочная плазма-экситонный газ». Показано, что сценарий фазового перехода радикально зависит от содержания германия в слое Si1-x Gex. Для квантовых ям с содержанием германия x=3.5 % во временном диапазоне примерно 100-500 нс после возбуждающего импульса регистрируется расслоение электронно-дырочной системы на разреженную экситонную и плотную плазменную фазы. В данном случае существующая в квантовых ямах электронно-дырочная плазма обладает всеми признаками электронно-дырочной жидкости. Качественно иная картина фазового перехода наблюдается для квантовых ям с x=9.5 %, где расслоение на фазы с разным электронным спектром не регистрируется. Рекомбинация носителей в электронно-дырочной плазме приводит к постепенному ослаблению экранирования и появлению экситонных состояний. При содержании германия 5-7 % сценарий фазового перехода носит двоякий характер: примерно через 20-250 нс после импульса возбуждения свойства электронно-дырочной системы описываются в рамках представлений об однородной электронно-дырочной плазме, в то время как примерно через 350 нс регистрируется расслоение на электронно-дырочную жидкость и экситонный газ. Показано, что для существования электронно-дырочной жидкости в квантовых ямах с содержанием германия x=5-7 % необходим экситонный газ существенно большей плотности, чем в квантовых ямах с x=3.5 %. Данное наблюдение согласуется с уменьшением глубины локального минимума энергии электронно-дырочной плазмы при увеличении концентрации германия в слое SiGe. Показано, что возрастание плотности экситонного газа, сосуществующего с электронно-дырочной жидкостью, способствует увеличению роли многочастичных состояний, предположительно трионов T+ и биэкситонов, в экситонном газе.
www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/r/144/5/p1045?a=list
2011
- В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, М. Л. Скориков, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов
Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и спектр многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si Письма в ЖЭТФ, т. 94, N1, стр. 63, (2011)
аннотация
Продемонстрировано влияние барьера для электронов в слое SiGe на работу выхода и равновесную концентрацию квазидвумерной конденсированной фазы, образующейся в квантовых ямах SiGe/Si. При величине барьера, близкой к критической для образования электронно-дырочной жидкости, обнаружен новый канал рекомбинации, обладающий нестандартными свойствами.
www.jetpletters.ac.ru/ps/1941/article_29432.shtml
- Багаев В. С., Кривобок В. С., Онищенко Е. Е., Скориков М. Л., Шепель А. А.
Резонансная спектроскопия донорных и акцепторных центров в компенсированном теллуриде кадмия ЖЭТФ, т. 140, N5, стр. 929, (2011)
аннотация
С помощью методик, основанных на селективном возбуждении низкотемпературной фотолюминесценции, проведен анализ электронного спектра дефектов, возникающих в сильно компенсированном теллуриде кадмия ( CdTe). Показано, что доминирующие (с наибольшей концентрацией) акцепторы имеют энергии активации 48.2\\\\pm0.4 мэВ, 97.9\\\\pm0.6 мэВ, 119.7\\\\pm1.0 мэВ, не характерные для известных примесей замещения в CdTe. Для каждого из перечисленных акцепторов определены энергии возбужденных состояний и сделаны предварительные выводы о симметрии центров. Наблюдаемая структура возбужденных состояний отличается от спектра стандартных акцепторов замещения и дает возможность моделировать электронную конфигурацию дефектов.
www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/r/140/5/p929?a=list
2010
- V. S. Bagaev, V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, A. V. Novikov, E. E. Onishchenko, and M. L. Skorikov
Observation of the electron-hole liquid in Si1−xGex/Si quantum wells by steady-state and time-resolved photoluminescence measurements Phys. Rev. B, vol. 82, p. 115313, (2010)
аннотация
The formation of quasi-two-dimensional electron-hole liquid in a Si0.95Ge0.05/Si quantum-well structure was observed by steady-state and time-resolved photoluminescence measurements. In the temperature range 2–15 K, the main characteristics of the liquid phase (e.g., the equilibrium concentration of 1.0×1012 cm−2 and lifetime of 400 ns) remain unchanged. However the nature of the related excitonic gas-liquid transition depends on the temperature and the disorder in the system.
10.1103/PhysRevB.82.115313
2000
- А.В.Квит, Ю.В.Клевков, С.А.Медведев, В.С.Багаев, А.В.Пересторонин, А.Ф.Плотников
пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпїЅ пїЅ пїЅпїЅпїЅпїЅпїЅпї ФТП, т. 34, N1, стр. 19-22, (2000)
recent publications
Location of building
|