About institute
Scientific Activity
|
Pudonin Fedor Alexeevich Doctor of Science (Physics and Mathematics)
Moscow Leninskiy Prospekt, 53c1 331
Contacts
Publications
2015
- А. П. Болтаев, Ф. А. Пудонин, И. А. Шерстнев
Низкочастотная гигантская эффективная диэлектрическая проницаемость островковых металлических пленок ФТТ, т. 57, N10, стр. 2043, (2015)
аннотация
Проведено исследование низкочастотной эффективной диэлектрической проницаемости островковых металлических пленок в зависимости от частоты электрического поля. Обнаружено, что низкочастотная эффективная диэлектрическая проницаемость имеет сложную зависимость от частоты электрического поля, на которой происходят измерения. Найдено, что на частотах электрического поля f=1 kHz диэлектрическая проницаемость является положительной величиной (varepsilon~108). С увеличением частоты электрического поля величина диэлектрической проницаемости уменьшается, а в однослойной FeNi-пленке толщиной d=8 Angstrem на частоте f~10 kHz она равняется нулю (varepsilon~0). При дальнейшем увеличении частоты электрического поля диэлектрическая проницаемость становится отрицательной и на частоте f=100 kHz достигает значения varepsilon~-108. Установлено, что рост эффективной диэлектрической проницаемости островковых металлических пленок с уменьшением частоты электрического поля связан с активационными или туннельными процессами в островковых пленках.
Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ N 14-02-00360-а.
journals.ioffe.ru/ftt/2015/10/page-2043.html.ru
- N. N. Kovaleva, D. Chvostova, A. V. Bagdinov, M. G. Petrova, E. I. Demikhov, F. A. Pudonin and A. Dejneka
Interplay of electron correlations and localization in disordered β-tantalum films: Evidence from dc transport and spectroscopic ellipsometry study Applied Physics Letters, vol. 106, p. 051907, (2015)
аннотация
We report the dc transport (5 K ≲ T ≲ 380 K) and spectroscopic ellipsometry (0.8 eV hν 8.5 eV, T ≃ 300 K) study of β-Ta films prepared by rf sputtering deposition as a function of their thickness in the range 2.5 nm ≲ d ≲ 200 nm. The dc transport of the β-Ta films with a thickness d ≳ 25 nm is characterized by negative temperature coefficient of resistivity (TCR) caused by localization effects peculiar of highly disordered metals. Their dielectric function spectra display non-metallic-like behavior due to the presence of the pronounced band at 2 eV. We found that with increasing TCR absolute value, specifying elevated degree disorder, the optical spectral weight (SW) of free charge carriers decreases. The associated SW is recovered in the range of Mott-Hubbard transitions, indicating the mechanism of localization enhancement by electronic correlations in disordered metals.
10.1063/1.4907862
all publications
Location of building
|