|
|||||
ФИАННаучная деятельностьДля сотрудников |
Подразделения - Лаборатория полупроводниковых лазеров с электронной накачкой
Подразделения Института
- Филиалы
- Троицкое обособленное подразделение, включающее «Троицкий Технопарк ФИАН» г. Троицк (ТОП ФИАН)
- Отдел лазерных технологий
- Лаборатория полупроводниковых лазеров с электронной накачкой
Дополнительная информация
Лаборатория ПЛЭН была основана нобелевским лауреатом академиком Н.Г. Басовым в начале 70-х годов в целях исследования физических принципов создания мощных полупроводниковых лазерных устройств для оптоэлектронных систем и решения народнохозяйственных и оборонных задач. Основные направления исследований Лаб. ПЛЭН: полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком и электрическим полем («стримерные»), исследования по лазерному переносу вещества и взаимодействия лазерного излучения с биологическими объектами. В настоящее время в Лаборатории получены патенты по применению лазеров для переноса вещества, в частности для, 3D печати. Ведутся исследования по созданию полупроводниковых лазеров с комбинированной накачкой.
|
||||
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт имени П. Н. Лебедева
Российской академии наук |