ФИАН

• Главная
• Институт
• Новости
• Сотрудники института
• Подразделения
• Форум
• Контакты
• Конкурсная комиссия

Научная деятельность

• Ученый совет
• Диссертационные советы
• Аспирантура
• Электронный доступ к журналам
• Отчетные доклады
• Лицензии
• Конкурсы
• Международное сотрудничество
• Конференции
• Семинары

1. Багаев В. С., Давлетов Э. Т., Кривобок В. С., Николаев С. Н., Новиков А. В., Онищенко Е. Е., Пручкина А. А., Скориков М. Л.
   Многочастичные состояния и факторы, осложняющие экспериментальное наблюдение квантовой когерентности, в экситонном газе SiGe/Si квантовых ям ЖЭТФ, т. 148, N5, (2015)

1. Багаев В. С., Кривобок В. С., Николаев С. Н., Онищенко Е. Е., Пручкина А. А., Аминев Д. Ф., Скориков М. Л., Лобанов Д. Н., Новиков А. В.
   Динамика фазовых переходов в системе неравновесных носителей заряда в квантоворазмерных структурах Si1-xGex/Si ЖЭТФ, т. 144, N5, стр. 1045, (2013)
   аннотация

   
   В условиях импульсного возбуждения гетероструктур с квантовыми ямами Si1-x Gex/ Si исследована динамика фазового перехода «электронно-дырочная плазма-экситонный газ». Показано, что сценарий фазового перехода радикально зависит от содержания германия в слое Si1-x Gex. Для квантовых ям с содержанием германия x=3.5 % во временном диапазоне примерно 100-500 нс после возбуждающего импульса регистрируется расслоение электронно-дырочной системы на разреженную экситонную и плотную плазменную фазы. В данном случае существующая в квантовых ямах электронно-дырочная плазма обладает всеми признаками электронно-дырочной жидкости. Качественно иная картина фазового перехода наблюдается для квантовых ям с x=9.5 %, где расслоение на фазы с разным электронным спектром не регистрируется. Рекомбинация носителей в электронно-дырочной плазме приводит к постепенному ослаблению экранирования и появлению экситонных состояний. При содержании германия 5-7 % сценарий фазового перехода носит двоякий характер: примерно через 20-250 нс после импульса возбуждения свойства электронно-дырочной системы описываются в рамках представлений об однородной электронно-дырочной плазме, в то время как примерно через 350 нс регистрируется расслоение на электронно-дырочную жидкость и экситонный газ. Показано, что для существования электронно-дырочной жидкости в квантовых ямах с содержанием германия x=5-7 % необходим экситонный газ существенно большей плотности, чем в квантовых ямах с x=3.5 %. Данное наблюдение согласуется с уменьшением глубины локального минимума энергии электронно-дырочной плазмы при увеличении концентрации германия в слое SiGe. Показано, что возрастание плотности экситонного газа, сосуществующего с электронно-дырочной жидкостью, способствует увеличению роли многочастичных состояний, предположительно трионов T+ и биэкситонов, в экситонном газе. www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/r/144/5/p1045?a=list
   

1. A. F. Adiyatullin, V. V. Belykh, V. I. Kozlovsky, V. S. Krivobok, V. P. Martovitsky, S. N. Nikolaev
   Влияние размытия гетерограницы на свойства экситонных состояний в квантовых ямах Zn(Cd)Se/ZnMgSSe ЖЭТФ, vol. 142, p. 1005, (2012)
   аннотация

   
   Exciton states in Zn(Cd)Se/ZnMgSSe quantum wells with different diffusion spreading of interfaces are studied by optical spectroscopy methods. It is shown that the emission spectrum of quantum wells at low temperatures is determined by free excitons and bound excitons on neutral donors. The nonlinear dependence of the stationary photoluminescence intensity on the excitation power density and the biexponential luminescence decay are explained by the neutralization of charged defects upon photoexcitation of heterostructures. With the stationary illumination on, durable (about 40 min) reversible changes in the reflection coefficient near the exciton resonances of quantum wells are observed. It is shown that, along with the shift of exciton levels, the spreading of heteroboundaries leads to three effects: an increase in the excitonphonon interaction, an increase in the energy shift between the emission lines of free and bound excitons, and a decrease in the decay time of exciton luminescence in a broad temperature range. The main reasons for these effects are discussed. 10.1134/S1063776112090014
   

1. В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, Е. Е. Онищенко, М. Л. Скориков, А. В. Новиков, Д. Н. Лобанов
   Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и спектр многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si Письма в ЖЭТФ, т. 94, N1, стр. 63, (2011)
   аннотация

   
   Продемонстрировано влияние барьера для электронов в слое SiGe на работу выхода и равновесную концентрацию квазидвумерной конденсированной фазы, образующейся в квантовых ямах SiGe/Si. При величине барьера, близкой к критической для образования электронно-дырочной жидкости, обнаружен новый канал рекомбинации, обладающий нестандартными свойствами. www.jetpletters.ac.ru/ps/1941/article_29432.shtml
   
2. Багаев В. С., Кривобок В. С., Онищенко Е. Е., Скориков М. Л., Шепель А. А.
   Резонансная спектроскопия донорных и акцепторных центров в компенсированном теллуриде кадмия ЖЭТФ, т. 140, N5, стр. 929, (2011)
   аннотация

   
   С помощью методик, основанных на селективном возбуждении низкотемпературной фотолюминесценции, проведен анализ электронного спектра дефектов, возникающих в сильно компенсированном теллуриде кадмия ( CdTe). Показано, что доминирующие (с наибольшей концентрацией) акцепторы имеют энергии активации 48.2\\\\pm0.4 мэВ, 97.9\\\\pm0.6 мэВ, 119.7\\\\pm1.0 мэВ, не характерные для известных примесей замещения в CdTe. Для каждого из перечисленных акцепторов определены энергии возбужденных состояний и сделаны предварительные выводы о симметрии центров. Наблюдаемая структура возбужденных состояний отличается от спектра стандартных акцепторов замещения и дает возможность моделировать электронную конфигурацию дефектов. www.jetp.ac.ru/cgi-bin/e/index/r/140/5/p929?a=list
   

1. V. S. Bagaev, V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, A. V. Novikov, E. E. Onishchenko, and M. L. Skorikov
   Observation of the electron-hole liquid in Si1−xGex/Si quantum wells by steady-state and time-resolved photoluminescence measurements Phys. Rev. B, vol. 82, p. 115313, (2010)
   аннотация

   
   The formation of quasi-two-dimensional electron-hole liquid in a Si0.95Ge0.05/Si quantum-well structure was observed by steady-state and time-resolved photoluminescence measurements. In the temperature range 2–15 K, the main characteristics of the liquid phase (e.g., the equilibrium concentration of 1.0×1012 cm−2 and lifetime of 400 ns) remain unchanged. However the nature of the related excitonic gas-liquid transition depends on the temperature and the disorder in the system. 10.1103/PhysRevB.82.115313