ФИАН

• Главная
• Институт
• Новости
• Сотрудники института
• Подразделения
• Форум
• Контакты
• Конкурсная комиссия

Научная деятельность

• Ученый совет
• Диссертационные советы
• Аспирантура
• Электронный доступ к журналам
• Отчетные доклады
• Лицензии
• Конкурсы
• Международное сотрудничество
• Конференции
• Семинары

1. V. V. Belykh and M. V. Kochiev
   Heating by exciton and biexciton recombination in GaAs/AlGaAs quantum wells Phys. Rev. B, vol. 92, pp. 045307, (2015)
   аннотация

   
   Acomprehensive experimental investigation of exciton and biexciton recombination in GaAs/AlGaAs quantum wells is presented. Exciton and biexciton recombination times are found to be 16 and 55 ps, respectively.Amethod of determining the dynamics of the exciton temperature is developed. It is shown that both exciton and biexciton recombination processes increase the exciton temperature by an amount as high as ∼10 K. These processes impose a new restriction on the possibility of exciton Bose-Einstein condensation and make impossible its achievement in a system of direct excitons in GaAs quantum wells even for resonantly excited exciton gas. 10.1103/PhysRevB.92.045307
   
2. М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
   Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 101, N3, стр. 200, (2015)
   аннотация

   
   В мелких квантовых ямах (КЯ) GaAs/AlGaAs (x = 0.05) методом фотолюминесценции изучены кинетики накопления и релаксации долгоживущих избыточных дырок, появляющихся в КЯ при надбарьерном фотовозбуждении, а также процессы установления стационарного состояния в неравновесной электронно-дырочной системе при различных комбинациях квазистационарных внутриямного и надбарьерного возбуждений. Обнаружено, что температурная зависимость времени релаксации (исчезновения) избыточных дырок из КЯ имеет активационный характер и определяется двумя энергиями активации. Установлено, что рассеяние экситонов, образующихся при нерезонансном внутриямном возбуждении, на долгоживущих дырках приводит к охлаждению экситонной системы. 10.1134/S0021364015030054
   

1. Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, М. В. Кочиев, Ю. Г. Садофьев, В. А. Цветков
   Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания униполярных лазеров Письма в ЖЭТФ, т. 99, N4, стр. 207, (2014)
   аннотация

   
   Исследована кинетика фотолюминесценции в многопериодных структурах квантовых ям GaAs/AlGaAs с асимметричными по высоте барьерами. За счет асимметрии барьеров достигнуто рекордно большое для униполярных лазеров время безызлучательной рекомбинации между лазерными подзонами (9 пс), которое превышает время безызлучательной релаксации с нижней лазерной подзоны. Это обеспечивает инверсную населенность в такой системе. Продемонстрировано эффективное подавление паразитного каскадного перехода между лазерными подзонами через состояния квазинепрерывного спектра. www.jetpletters.ac.ru/ps/2032/article_30629.shtml
   

1. М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
   Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 95, N9, стр. 544, (2012)
   аннотация

   
   В экспериментах, выполненных при различных частотах следования пикосекундных лазерных импульсов внутриямного, надбарьерного и «двухцветного» возбуждения, исследована динамика экситонов и трионов в структурах GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами (КЯ). Установлено, что ключевую роль в формировании и динамике экситон-трионной системы, определяющую ее парциальный состав и кинетические свойства, играют избыточные одноименные носители заряда, накапливающиеся в КЯ при надбарьерной накачке. Из экспериментальных данных оценено время существования в КЯ избыточных носителей заряда, которое превышает 10 мкс. www.jetpletters.ac.ru/ps/1962/article_29700.shtml
   
2. М. В. Кочиев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков
   Влияние уровня фотовозбуждения на температурное тушение и динамику люминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами Известия РАН (серия физическая), т. 76, N2, стр. 247, (2012)
   аннотация

   
   Исследовано влияние уровня фотовозбуждения на динамику люминесценции экситонов с тяжелы ми дырками в мелких туннельно изолированных квантовых ямах структуры GaAs/AlxGa1 – xAs (x = = 0.05) при температурах от 5 до 70 К. Показано, что времена жизни экситонов сильно зависят от уровня возбуждения, а энергии активации тепловой эмиссии неравновесных носителей заряда из ям практически не зависят. 10.3103/S1062873812020153
   

1. A. Klokov, M. Kochiev, A. Sharkov, V. Tsvetkov and R. Khmelnitskiy
   Graphitized layer buried in a diamond: photothermal properties and hypersound generation under picosecond optical excitation Journal of Physics: Conference Series, vol. 278, N1, p. 012019, (2011)
   аннотация

   
   We assume that a coherent phonon generation was found out in structures with a single graphitized layer under picosecond laser excitation by means of the Pump/Probe method. The thermal component of the response was calculated that allowed us to define the photothermal coefficient of the graphitized layer as well as its thermal conductivity from the experimental results. The thermal-conductivity coefficient of the graphitized layer appears to grow with the thickness decrease. This makes it possible to assume that the microstructure of the graphitized layer produced during annealing depends on its thickness. iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/278/1/012019
   

1. М. В. Кочиев, М. Х. Нгуен, В. А. Цветков
   Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах Научно-технические ведомости СПбГПУ, серия «Физико-математические науки, т. 3, N104, стр. 58, (2010)