logo

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физический институт им. П.Н.Лебедева
Российской академии наук

person\'s photo
Кочиев Михаил Валериевич
канд. физ.-мат. наук
Лаборатория физики неравновесных явлений в неоднородных системах Высококвалифицированный старший научный сотрудник, кандидат наук г. Москва Ленинский пр-т. 53с4 (гл.здание) к. 252
Лаборатория физики неравновесных явлений в неоднородных системах Научный сотрудник, кандидат наук г. Москва Ленинский пр-т. 53с4 (гл.здание) к. 252

Контакты

Дополнительная информация

Образование

2008 - Московский инженерно-физический институт.
2012 - канд. физ.-мат. наук, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Москва.

Достижения

  • В 2010 году доклад «Влияние уровня фотовозбуждения на кинетику экситонной люминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами» на XII Всероссийской молоджной конференции по физике полупроводников и наноструктур отмечен дипломом и премией имени Е.Ф. Гросса как лучший доклад по оптике твердого тела.

  • В 2012 году за цикл работ «Динамика неравновесных носителей заряда в наноструктурах GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами» на конкурсе молодежных научных работ ФИАН присуждена премия имени С.И. Вавилова.

  • В 2015 году доклад «Нагрев экситонной системы вследствие излучательной рекомбинации экситонов и биэкситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs» отмечен премией и дипломом за лучший доклад, представленный молодыми учеными на XII Российской конференции по физике полупроводников.

 

Scopus Author ID: 37102115400

Индивидуальный номер ученого: 00046582

ORCID: 0000-0002-5653-6416

Follow me on ResearchGate

 

 

Публикации

2015
  1. V. V. Belykh and M. V. Kochiev
    Heating by exciton and biexciton recombination in GaAs/AlGaAs quantum wells Phys. Rev. B, vol. 92, pp. 045307, (2015)
    аннотация
  2. М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
    Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 101, N3, стр. 200, (2015)
    аннотация
2014
  1. Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, М. В. Кочиев, Ю. Г. Садофьев, В. А. Цветков
    Кинетика фотолюминесценции многопериодных структур GaAs/AlGaAs с асимметричными барьерами, перспективных для создания униполярных лазеров Письма в ЖЭТФ, т. 99, N4, стр. 207, (2014)
    аннотация
2012
  1. М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
    Накопление избытка одноименных носителей заряда и формирование трионов в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 95, N9, стр. 544, (2012)
    аннотация
  2. М. В. Кочиев, Н. Н. Сибельдин, М. Л. Скориков, В. А. Цветков
    Влияние уровня фотовозбуждения на температурное тушение и динамику люминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами Известия РАН (серия физическая), т. 76, N2, стр. 247, (2012)
    аннотация
2011
  1. A. Klokov, M. Kochiev, A. Sharkov, V. Tsvetkov and R. Khmelnitskiy
    Graphitized layer buried in a diamond: photothermal properties and hypersound generation under picosecond optical excitation Journal of Physics: Conference Series, vol. 278, N1, p. 012019, (2011)
    аннотация
2010
  1. М. В. Кочиев, М. Х. Нгуен, В. А. Цветков
    Кинетика экситонной фотолюминесценции структур GaAs/AlGaAs с мелкими квантовыми ямами при низких температурах Научно-технические ведомости СПбГПУ, серия «Физико-математические науки, т. 3, N104, стр. 58, (2010)
недавние публикации

Расположение корпуса на территории института