ФИАН
Научная деятельность
|
Цветков Виталий Анатольевич канд. физ.-мат. наук
Контакты
Дополнительная информация
Биография
Цветков В.А. окончил Физический факультет Московского государственного университета им. М.В.Ломоносова, старший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук.
Цветков В.А. - высококвалифицированный специалист в области физики полупроводников, имеет более 80 печатных работ. Результаты его работ докладывались на Международных, Всесоюзных и Российских конференциях и научных сессиях ООФА АН.
Работы Цветкова В.А. посвящены, в основном, изучению свойств неравновесных носителей тока и фононов в сильно возбужденных полупроводниках. В этих работах впервые получен ряд принципиальных результатов: установлены основные закономерности кинетики конденсации экситонов, обнаружен и детально исследован эффект увлечения электронно-дырочных капель неравновесными акустическими фононами; обнаружена магнитостабилизированная электронно-дырочная жидкость и определены ее основные термодинамические параметры (плотность и энергия связи) в функции напряженности магнитного поля; показано, что при мощной оптической накачке охлаждаемого жидким гелием полупроводника в гелии возбуждаются ударные волны слабой интенсивности и др..
В последнее время Цветков В.А. занимается исследованиями оптических свойств полупроводниковых низкоразмерных наноструктур. Им и его соавторами прямыми экспериментами было продемонстрировано влияние параллельного слоям гетероструктуры магнитного поля на туннельную связь между квантовыми ямами (КЯ); обнаружено существование в мелкой GaAs/AlGaAs КЯ экситонов, образованных из локализованных в яме электронов и свободных тяжелых дырок; показано, что полосы возрастания и ослабления интенсивности фотолюминесценции свободных экситонов и трионов, локализованных в КЯ, наблюдаемые при изменении энергии квантов возбуждающего света находятся в противофазе при энергиях квантов, превышающих ширину запрещенной зоны AlGaAs-барьерных слоев.
Публикации
2015
- М. В. Кочиев, В. А. Цветков, Н. Н. Сибельдин
Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs Письма в ЖЭТФ, т. 101, N3, стр. 200, (2015)
аннотация
В мелких квантовых ямах (КЯ) GaAs/AlGaAs (x = 0.05) методом фотолюминесценции изучены
кинетики накопления и релаксации долгоживущих избыточных дырок, появляющихся в КЯ при надбарьерном фотовозбуждении, а также процессы установления стационарного состояния в неравновесной электронно-дырочной системе при различных комбинациях квазистационарных внутриямного и надбарьерного возбуждений. Обнаружено, что температурная зависимость времени релаксации (исчезновения) избыточных дырок из КЯ имеет активационный характер и определяется двумя энергиями активации. Установлено, что рассеяние экситонов, образующихся при нерезонансном внутриямном возбуждении, на долгоживущих дырках приводит к охлаждению экситонной системы.
10.1134/S0021364015030054
- А. А. Горбацевич, В. И. Егоркин, И. П. Казаков, О. А. Клименко, А. Ю. Клоков, Ю. А. Митягин, В. Н. Мурзин, С. А. Савинов, В. А. Цветков
Исследование динамических характеристик «низкотемпературного» арсенида галлия для генераторов и детекторов терагерцового диапазона Краткие сообщения по физике, Москва, ФИАН, N5, стр. 3, (2015)
аннотация
Методом pump-probe оптического отражения определено время жизни свободных неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках «низкотемпературного» арсенида галлия (LT-GaAs). Оценено темновое удельное сопротивление LT-GaAs слоев. Методом фурье-спектроскопии измерены спектры излучения LTGaAs фотопроводящих антенн в области терагерцовых частот.
ksf.lebedev.ru/outputfile_mainpage.php?id=1375
все публикации
Расположение корпуса на территории института
|